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Vishay Siliconix SQJB40EP-T1_GE3
- Teilenummer
- SQJB40EP-T1_GE3
- Hersteller
- Vishay Siliconix
- Kategorie:
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
- Verpackung
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Datenblatt
-
SQJB40EP-T1_GE3.pdf
- Beschreibung
- MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
- Qualitätsprüfung:
-
★★★★★ 5.0/5 Geprüft vom FudongIC QC Team
Die Produktinformationen für SQJB40EP-T1_GE3 wurden anhand von Teilenummer, Hersteller, Gehäuse, Lagerstatus, Beschaffungsanforderungen und Versandverfügbarkeit geprüft.
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SQJB40EP-T1_GE3 für welche Anwendungsszenarien?
SQJB40EP-T1_GE3 ist ein Produkt von Vishay Siliconix in der Kategorie Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays. Es eignet sich für Elektronikprojekte mit Anforderungen an stabile Versorgung, technische Parameterprüfung, zuverlässige Beschaffung und BOM-Abgleich.
Kommunikations- und Netzwerkausrüstung
Geeignet für Kommunikationsmodule, Basisstationen, Netzwerkausrüstung und industrielle Datenübertragung, bei denen stabile Bauteilversorgung wichtig ist.
Automotive- und Steuersysteme
Kann für Automobil-Elektronik, Steuergeräte, Sensorsysteme und Embedded-Projekte genutzt werden, wenn Parameter und Lieferbarkeit geprüft werden müssen.
Industrieautomation
Passend für Industrieanlagen, Motorsteuerung, Messgeräte, Automatisierungssysteme und elektronische Baugruppen.
Rechenzentren und Cloud-Plattformen
Unterstützt Server, Datencenter, Stromversorgung, Steuerplatinen und andere zuverlässige Elektroniksysteme.
FudongIC unterstützt Kunden bei der Beschaffung von SQJB40EP-T1_GE3, einschließlich Lagerprüfung, Preisbestätigung, BOM-Abgleich und technischer Auswahl.
RFQ und technische Unterstützung für SQJB40EP-T1_GE3 anfragenProduktübersicht
SQJB40EP-T1_GE3 ist ein Produkt von Vishay Siliconix in der Kategorie Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays. Die Beschreibung lautet: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8. FudongIC unterstützt Kunden bei Datenblattprüfung, Lagerbestätigung, Preisangebot, BOM-Abgleich und technischer Auswahl.
Hauptmerkmale
- Teilenummer: SQJB40EP-T1_GE3
- Hersteller: Vishay Siliconix
- Kategorie: Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
- Gehäuse: PowerPAK® SO-8 Dual
- Unterstützung für Datenblattprüfung, Lagerbestätigung und Preisangebot
- Geeignet für Muster, Kleinmengen und Serienbeschaffung
Anwendungsbereiche
SQJB40EP-T1_GE3 kann in Kommunikationssystemen, Industrieautomation, Automobilelektronik, Rechenzentren, eingebetteten Systemen, Energie- und Steuerungstechnik sowie weiteren Elektronikprojekten eingesetzt werden.
Beschaffung und technischer Support
Wenn Sie Lagerbestand, Staffelpreise, Lieferzeit, Alternativen oder technische Unterlagen für SQJB40EP-T1_GE3 benötigen, senden Sie bitte eine Anfrage an FudongIC. Unser Team unterstützt Sie entsprechend Ihrer Anwendung, Parameteranforderungen, Gehäuseanforderungen und Einkaufsmenge.
Ähnliche Produkte
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- ProductStatus:Active
- FETType:2 N-Channel (Dual)
- FETFeature:Standard
- DraintoSourceVoltage(Vdss):40V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:30A (Tc)
- RdsOn(Max)@IdVgs:8mOhm @ 8A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.5V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:35nC @ 10V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:1900pF @ 25V
- Power-Max:34W
- OperatingTemperature:-55°C ~ 175°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Kategorie:
- Datenblatt
SQJB40EP-T1_GE3 - Häufig gestellte Fragen
SQJB40EP-T1_GE3 wird auf FudongIC mit aktuellen Lagerinformationen angezeigt. Der angezeigte Bestand ist 2259. Da sich Bestände elektronischer Komponenten häufig ändern, senden Sie bitte eine RFQ zur Echtzeitbestätigung von Bestand, Preis und Lieferzeit.
Die Mindestbestellmenge für SQJB40EP-T1_GE3 beträgt 1 Stück. FudongIC unterstützt Muster, Kleinmengen und größere Beschaffungsprojekte.
FudongIC konzentriert sich auf originale und echte elektronische Komponenten. SQJB40EP-T1_GE3 von Vishay Siliconix wird über zuverlässige Lieferkanäle beschafft. Qualitätsprüfung, Verpackungsbestätigung und Versandkontrolle können nach Bedarf unterstützt werden.
Die Lieferzeit hängt von Lagerstandort, Bestellmenge und Zieladresse ab. Für verfügbare Ware kann der Versand per DHL, FedEx, UPS oder anderen Expressdiensten arrangiert werden.
Je nach Anwendung kann FudongIC alternative oder gleichwertige Teile für SQJB40EP-T1_GE3 prüfen. Bitte senden Sie Spezifikationen, Zielmenge und Anwendungsdetails.
| Bild |  |
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| Teilenummer | SQ1912EH-T1_GE3 | SQ4532AEY-T1_GE3 | SQ1922AEEH-T1_GE3 | SQ4282EY-T1_BE3 | SQ4282EY-T1_GE3 |
| Hersteller | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 40V | 40V | 40V | 40V | 40V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 30A (Tc) | 30A (Tc) | 30A (Tc) | 30A (Tc) | 30A (Tc) |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 8mOhm @ 8A, 10V | 8mOhm @ 8A, 10V | 8mOhm @ 8A, 10V | 8mOhm @ 8A, 10V | 8mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 35nC @ 10V | 35nC @ 10V | 35nC @ 10V | 35nC @ 10V | 35nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1900pF @ 25V | 1900pF @ 25V | 1900pF @ 25V | 1900pF @ 25V | 1900pF @ 25V |
| Power-Max | 34W | 34W | 34W | 34W | 34W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
SQJB40EP-T1_GE3 Relevante Informationen
Die folgenden Teile sind enthalten "SQJB40EP-T1_GE3" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. SQJB40EP-T1_GE3.
- Teilenummer
- Hersteller
- Verpackung
- Beschreibung
-
2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
-
DMC2700UDM-7
Diodes Incorporated
SOT-23-6
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
-
BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
-
IRF7324TRPBF
Infineon Technologies
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
Die folgenden Teile sind beliebte Suchteile in: Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays.
Bitte senden Sie eine RFQ.
Bitte senden Sie eine RFQ. Wir antworten umgehend.
-
EPC2106
EPC
-
EPC2110
EPC
-
EPC2104
EPC
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BSM300D12P2E001
Rohm Semiconductor
-
2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
-
SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
- 1500+ Täglicher Durchschnitts-RFQ
- 20,000.000 Standardprodukteinheit
- 1800+ Weltweite Hersteller
- 15,000+ Lagerbestand
