SIR166DP-T1-GE3.pdf
Die Produktinformationen für SIR166DP-T1-GE3 wurden anhand von Teilenummer, Hersteller, Gehäuse, Lagerstatus, Beschaffungsanforderungen und Versandverfügbarkeit geprüft.
Stückpreis$0
Gesamtpreis$0


SIR166DP-T1-GE3 ist ein Produkt von Vishay Siliconix in der Kategorie Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren. Es eignet sich für Elektronikprojekte mit Anforderungen an stabile Versorgung, technische Parameterprüfung, zuverlässige Beschaffung und BOM-Abgleich.
Geeignet für Kommunikationsmodule, Basisstationen, Netzwerkausrüstung und industrielle Datenübertragung, bei denen stabile Bauteilversorgung wichtig ist.
Kann für Automobil-Elektronik, Steuergeräte, Sensorsysteme und Embedded-Projekte genutzt werden, wenn Parameter und Lieferbarkeit geprüft werden müssen.
Passend für Industrieanlagen, Motorsteuerung, Messgeräte, Automatisierungssysteme und elektronische Baugruppen.
Unterstützt Server, Datencenter, Stromversorgung, Steuerplatinen und andere zuverlässige Elektroniksysteme.
FudongIC unterstützt Kunden bei der Beschaffung von SIR166DP-T1-GE3, einschließlich Lagerprüfung, Preisbestätigung, BOM-Abgleich und technischer Auswahl.
RFQ und technische Unterstützung für SIR166DP-T1-GE3 anfragenSIR166DP-T1-GE3 ist ein Produkt von Vishay Siliconix in der Kategorie Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren. Die Beschreibung lautet: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8. FudongIC unterstützt Kunden bei Datenblattprüfung, Lagerbestätigung, Preisangebot, BOM-Abgleich und technischer Auswahl.
SIR166DP-T1-GE3 kann in Kommunikationssystemen, Industrieautomation, Automobilelektronik, Rechenzentren, eingebetteten Systemen, Energie- und Steuerungstechnik sowie weiteren Elektronikprojekten eingesetzt werden.
Wenn Sie Lagerbestand, Staffelpreise, Lieferzeit, Alternativen oder technische Unterlagen für SIR166DP-T1-GE3 benötigen, senden Sie bitte eine Anfrage an FudongIC. Unser Team unterstützt Sie entsprechend Ihrer Anwendung, Parameteranforderungen, Gehäuseanforderungen und Einkaufsmenge.
SIR166DP-T1-GE3 wird auf FudongIC mit aktuellen Lagerinformationen angezeigt. Der angezeigte Bestand ist 143. Da sich Bestände elektronischer Komponenten häufig ändern, senden Sie bitte eine RFQ zur Echtzeitbestätigung von Bestand, Preis und Lieferzeit.
Die Mindestbestellmenge für SIR166DP-T1-GE3 beträgt 1 Stück. FudongIC unterstützt Muster, Kleinmengen und größere Beschaffungsprojekte.
FudongIC konzentriert sich auf originale und echte elektronische Komponenten. SIR166DP-T1-GE3 von Vishay Siliconix wird über zuverlässige Lieferkanäle beschafft. Qualitätsprüfung, Verpackungsbestätigung und Versandkontrolle können nach Bedarf unterstützt werden.
Die Lieferzeit hängt von Lagerstandort, Bestellmenge und Zieladresse ab. Für verfügbare Ware kann der Versand per DHL, FedEx, UPS oder anderen Expressdiensten arrangiert werden.
Je nach Anwendung kann FudongIC alternative oder gleichwertige Teile für SIR166DP-T1-GE3 prüfen. Bitte senden Sie Spezifikationen, Zielmenge und Anwendungsdetails.
| Bild | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
| Teilenummer | SI8447DB-T2-E1 | SI8465DB-T2-E1 | SI8824EDB-T2-E1 | SI2303CDS-T1-BE3 | SI1032X-T1-GE3 |
| Hersteller | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 40A (Tc) | 40A (Tc) | 40A (Tc) | 40A (Tc) | 40A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 3.2mOhm @ 15A, 10V | 3.2mOhm @ 15A, 10V | 3.2mOhm @ 15A, 10V | 3.2mOhm @ 15A, 10V | 3.2mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 77 nC @ 10 V | 77 nC @ 10 V | 77 nC @ 10 V | 77 nC @ 10 V | 77 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 3340 pF @ 15 V | 3340 pF @ 15 V | 3340 pF @ 15 V | 3340 pF @ 15 V | 3340 pF @ 15 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 5W (Ta), 48W (Tc) | 5W (Ta), 48W (Tc) | 5W (Ta), 48W (Tc) | 5W (Ta), 48W (Tc) | 5W (Ta), 48W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Bitte senden Sie eine RFQ. Wir antworten umgehend.

STMicroelectronics

Toshiba Semiconductor and Storage

Vishay Siliconix

onsemi
Vishay Siliconix
STMicroelectronics