RBV2502D.pdf
Die Produktinformationen für RBV2502D wurden anhand von Teilenummer, Hersteller, Gehäuse, Lagerstatus, Beschaffungsanforderungen und Versandverfügbarkeit geprüft.
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RBV2502D ist ein Produkt von EIC SEMICONDUCTOR INC. in der Kategorie Dioden – Brückengleichrichter. Es eignet sich für Elektronikprojekte mit Anforderungen an stabile Versorgung, technische Parameterprüfung, zuverlässige Beschaffung und BOM-Abgleich.
Geeignet für Kommunikationsmodule, Basisstationen, Netzwerkausrüstung und industrielle Datenübertragung, bei denen stabile Bauteilversorgung wichtig ist.
Kann für Automobil-Elektronik, Steuergeräte, Sensorsysteme und Embedded-Projekte genutzt werden, wenn Parameter und Lieferbarkeit geprüft werden müssen.
Passend für Industrieanlagen, Motorsteuerung, Messgeräte, Automatisierungssysteme und elektronische Baugruppen.
Unterstützt Server, Datencenter, Stromversorgung, Steuerplatinen und andere zuverlässige Elektroniksysteme.
FudongIC unterstützt Kunden bei der Beschaffung von RBV2502D, einschließlich Lagerprüfung, Preisbestätigung, BOM-Abgleich und technischer Auswahl.
RFQ und technische Unterstützung für RBV2502D anfragenRBV2502D ist ein Produkt von EIC SEMICONDUCTOR INC. in der Kategorie Dioden – Brückengleichrichter. Die Beschreibung lautet: BRIGDE RECTIFIER 25A 200V, CASE. FudongIC unterstützt Kunden bei Datenblattprüfung, Lagerbestätigung, Preisangebot, BOM-Abgleich und technischer Auswahl.
RBV2502D kann in Kommunikationssystemen, Industrieautomation, Automobilelektronik, Rechenzentren, eingebetteten Systemen, Energie- und Steuerungstechnik sowie weiteren Elektronikprojekten eingesetzt werden.
Wenn Sie Lagerbestand, Staffelpreise, Lieferzeit, Alternativen oder technische Unterlagen für RBV2502D benötigen, senden Sie bitte eine Anfrage an FudongIC. Unser Team unterstützt Sie entsprechend Ihrer Anwendung, Parameteranforderungen, Gehäuseanforderungen und Einkaufsmenge.
RBV2502D wird auf FudongIC mit aktuellen Lagerinformationen angezeigt. Der angezeigte Bestand ist 100. Da sich Bestände elektronischer Komponenten häufig ändern, senden Sie bitte eine RFQ zur Echtzeitbestätigung von Bestand, Preis und Lieferzeit.
Die Mindestbestellmenge für RBV2502D beträgt 1 Stück. FudongIC unterstützt Muster, Kleinmengen und größere Beschaffungsprojekte.
FudongIC konzentriert sich auf originale und echte elektronische Komponenten. RBV2502D von EIC SEMICONDUCTOR INC. wird über zuverlässige Lieferkanäle beschafft. Qualitätsprüfung, Verpackungsbestätigung und Versandkontrolle können nach Bedarf unterstützt werden.
Die Lieferzeit hängt von Lagerstandort, Bestellmenge und Zieladresse ab. Für verfügbare Ware kann der Versand per DHL, FedEx, UPS oder anderen Expressdiensten arrangiert werden.
Je nach Anwendung kann FudongIC alternative oder gleichwertige Teile für RBV2502D prüfen. Bitte senden Sie Spezifikationen, Zielmenge und Anwendungsdetails.
| Bild | ![]() |
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| Teilenummer | W04 | FBR5006 | BR610 | BR602 | BR600 |
| Hersteller | EIC SEMICONDUCTOR INC. | EIC SEMICONDUCTOR INC. | EIC SEMICONDUCTOR INC. | EIC SEMICONDUCTOR INC. | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
| Packaging | Bag | Bag | Bag | Bag | Bag |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| DiodeType | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| Technology | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Voltage-PeakReverse(Max) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 25 A | 25 A | 25 A | 25 A | 25 A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.1 V @ 25 A | 1.1 V @ 25 A | 1.1 V @ 25 A | 1.1 V @ 25 A | 1.1 V @ 25 A |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| VRRM(V) | 4-SIP, RBV-25 | 4-SIP, RBV-25 | 4-SIP, RBV-25 | 4-SIP, RBV-25 | 4-SIP, RBV-25 |
| I(AV)(A) | |||||
| IFSM(A) | |||||
| VF@IF(V) | |||||
| VF@IF(A) | |||||
| IR(μA) | |||||
| Trr(ns) |
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