PU2BMH M3G.pdfDie Produktinformationen für PU2BMH M3G wurden anhand von Teilenummer, Hersteller, Gehäuse, Lagerstatus, Beschaffungsanforderungen und Versandverfügbarkeit geprüft.
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PU2BMH M3G ist ein Produkt von Taiwan Semiconductor Corporation in der Kategorie Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden. Es eignet sich für Elektronikprojekte mit Anforderungen an stabile Versorgung, technische Parameterprüfung, zuverlässige Beschaffung und BOM-Abgleich.
Geeignet für Kommunikationsmodule, Basisstationen, Netzwerkausrüstung und industrielle Datenübertragung, bei denen stabile Bauteilversorgung wichtig ist.
Kann für Automobil-Elektronik, Steuergeräte, Sensorsysteme und Embedded-Projekte genutzt werden, wenn Parameter und Lieferbarkeit geprüft werden müssen.
Passend für Industrieanlagen, Motorsteuerung, Messgeräte, Automatisierungssysteme und elektronische Baugruppen.
Unterstützt Server, Datencenter, Stromversorgung, Steuerplatinen und andere zuverlässige Elektroniksysteme.
FudongIC unterstützt Kunden bei der Beschaffung von PU2BMH M3G, einschließlich Lagerprüfung, Preisbestätigung, BOM-Abgleich und technischer Auswahl.
RFQ und technische Unterstützung für PU2BMH M3G anfragenPU2BMH M3G ist ein Produkt von Taiwan Semiconductor Corporation in der Kategorie Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden. Die Beschreibung lautet: 25NS, 2A, 100V, ULTRA FAST RECOV. FudongIC unterstützt Kunden bei Datenblattprüfung, Lagerbestätigung, Preisangebot, BOM-Abgleich und technischer Auswahl.
PU2BMH M3G kann in Kommunikationssystemen, Industrieautomation, Automobilelektronik, Rechenzentren, eingebetteten Systemen, Energie- und Steuerungstechnik sowie weiteren Elektronikprojekten eingesetzt werden.
Wenn Sie Lagerbestand, Staffelpreise, Lieferzeit, Alternativen oder technische Unterlagen für PU2BMH M3G benötigen, senden Sie bitte eine Anfrage an FudongIC. Unser Team unterstützt Sie entsprechend Ihrer Anwendung, Parameteranforderungen, Gehäuseanforderungen und Einkaufsmenge.
PU2BMH M3G wird auf FudongIC mit aktuellen Lagerinformationen angezeigt. Der angezeigte Bestand ist 5999. Da sich Bestände elektronischer Komponenten häufig ändern, senden Sie bitte eine RFQ zur Echtzeitbestätigung von Bestand, Preis und Lieferzeit.
Die Mindestbestellmenge für PU2BMH M3G beträgt 1 Stück. FudongIC unterstützt Muster, Kleinmengen und größere Beschaffungsprojekte.
FudongIC konzentriert sich auf originale und echte elektronische Komponenten. PU2BMH M3G von Taiwan Semiconductor Corporation wird über zuverlässige Lieferkanäle beschafft. Qualitätsprüfung, Verpackungsbestätigung und Versandkontrolle können nach Bedarf unterstützt werden.
Die Lieferzeit hängt von Lagerstandort, Bestellmenge und Zieladresse ab. Für verfügbare Ware kann der Versand per DHL, FedEx, UPS oder anderen Expressdiensten arrangiert werden.
Je nach Anwendung kann FudongIC alternative oder gleichwertige Teile für PU2BMH M3G prüfen. Bitte senden Sie Spezifikationen, Zielmenge und Anwendungsdetails.
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| Teilenummer | S12MCH | S12KCH | ES1GLHR3G | S12GCH | ES1BLHRUG |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
| RoHS | RoHS | RoHS | RoHS | RoHS | RoHS |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Type | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Part Status | Active | Active | Active | Active | Active |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Capacitance @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz | 18pF @ 4V, 1MHz | 18pF @ 4V, 1MHz | 18pF @ 4V, 1MHz | 18pF @ 4V, 1MHz |
| Reverse Recovery Time (trr) | 36 ns | 36 ns | 36 ns | 36 ns | 36 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 100 V | 1 µA @ 100 V | 1 µA @ 100 V | 1 µA @ 100 V | 1 µA @ 100 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A (DC) | 2A (DC) | 2A (DC) | 2A (DC) | 2A (DC) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05 V @ 2 A | 1.05 V @ 2 A | 1.05 V @ 2 A | 1.05 V @ 2 A | 1.05 V @ 2 A |
Bitte senden Sie eine RFQ. Wir antworten umgehend.

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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