IRF7526D1TR.pdf
Die Produktinformationen für IRF7526D1TR wurden anhand von Teilenummer, Hersteller, Gehäuse, Lagerstatus, Beschaffungsanforderungen und Versandverfügbarkeit geprüft.
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IRF7526D1TR ist ein Produkt von Infineon Technologies in der Kategorie Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren. Es eignet sich für Elektronikprojekte mit Anforderungen an stabile Versorgung, technische Parameterprüfung, zuverlässige Beschaffung und BOM-Abgleich.
Geeignet für Kommunikationsmodule, Basisstationen, Netzwerkausrüstung und industrielle Datenübertragung, bei denen stabile Bauteilversorgung wichtig ist.
Kann für Automobil-Elektronik, Steuergeräte, Sensorsysteme und Embedded-Projekte genutzt werden, wenn Parameter und Lieferbarkeit geprüft werden müssen.
Passend für Industrieanlagen, Motorsteuerung, Messgeräte, Automatisierungssysteme und elektronische Baugruppen.
Unterstützt Server, Datencenter, Stromversorgung, Steuerplatinen und andere zuverlässige Elektroniksysteme.
FudongIC unterstützt Kunden bei der Beschaffung von IRF7526D1TR, einschließlich Lagerprüfung, Preisbestätigung, BOM-Abgleich und technischer Auswahl.
RFQ und technische Unterstützung für IRF7526D1TR anfragenIRF7526D1TR ist ein Produkt von Infineon Technologies in der Kategorie Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren. Die Beschreibung lautet: MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8. FudongIC unterstützt Kunden bei Datenblattprüfung, Lagerbestätigung, Preisangebot, BOM-Abgleich und technischer Auswahl.
IRF7526D1TR kann in Kommunikationssystemen, Industrieautomation, Automobilelektronik, Rechenzentren, eingebetteten Systemen, Energie- und Steuerungstechnik sowie weiteren Elektronikprojekten eingesetzt werden.
Wenn Sie Lagerbestand, Staffelpreise, Lieferzeit, Alternativen oder technische Unterlagen für IRF7526D1TR benötigen, senden Sie bitte eine Anfrage an FudongIC. Unser Team unterstützt Sie entsprechend Ihrer Anwendung, Parameteranforderungen, Gehäuseanforderungen und Einkaufsmenge.
IRF7526D1TR wird auf FudongIC mit aktuellen Lagerinformationen angezeigt. Der angezeigte Bestand ist 3387. Da sich Bestände elektronischer Komponenten häufig ändern, senden Sie bitte eine RFQ zur Echtzeitbestätigung von Bestand, Preis und Lieferzeit.
Die Mindestbestellmenge für IRF7526D1TR beträgt 1 Stück. FudongIC unterstützt Muster, Kleinmengen und größere Beschaffungsprojekte.
FudongIC konzentriert sich auf originale und echte elektronische Komponenten. IRF7526D1TR von Infineon Technologies wird über zuverlässige Lieferkanäle beschafft. Qualitätsprüfung, Verpackungsbestätigung und Versandkontrolle können nach Bedarf unterstützt werden.
Die Lieferzeit hängt von Lagerstandort, Bestellmenge und Zieladresse ab. Für verfügbare Ware kann der Versand per DHL, FedEx, UPS oder anderen Expressdiensten arrangiert werden.
Je nach Anwendung kann FudongIC alternative oder gleichwertige Teile für IRF7526D1TR prüfen. Bitte senden Sie Spezifikationen, Zielmenge und Anwendungsdetails.
| Bild | ![]() |
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| Teilenummer | IRF7322D1 | IRF7322D1TR | IRF7324D1TR | IRF7353D2 | IRF7421D1TR |
| Hersteller | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Series | FETKY™ | FETKY™ | FETKY™ | FETKY™ | FETKY™ |
| ProductStatus | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| FETType | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 2A (Ta) | 2A (Ta) | 2A (Ta) | 2A (Ta) | 2A (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 200mOhm @ 1.2A, 10V | 200mOhm @ 1.2A, 10V | 200mOhm @ 1.2A, 10V | 200mOhm @ 1.2A, 10V | 200mOhm @ 1.2A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 11 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 180 pF @ 25 V | 180 pF @ 25 V | 180 pF @ 25 V | 180 pF @ 25 V | 180 pF @ 25 V |
| FETFeature | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) |
| PowerDissipation(Max) | 1.25W (Ta) | 1.25W (Ta) | 1.25W (Ta) | 1.25W (Ta) | 1.25W (Ta) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Bitte senden Sie eine RFQ. Wir antworten umgehend.

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