IRF5803D2.pdf
Die Produktinformationen für IRF5803D2 wurden anhand von Teilenummer, Hersteller, Gehäuse, Lagerstatus, Beschaffungsanforderungen und Versandverfügbarkeit geprüft.
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IRF5803D2 ist ein Produkt von Infineon Technologies in der Kategorie Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren. Es eignet sich für Elektronikprojekte mit Anforderungen an stabile Versorgung, technische Parameterprüfung, zuverlässige Beschaffung und BOM-Abgleich.
Geeignet für Kommunikationsmodule, Basisstationen, Netzwerkausrüstung und industrielle Datenübertragung, bei denen stabile Bauteilversorgung wichtig ist.
Kann für Automobil-Elektronik, Steuergeräte, Sensorsysteme und Embedded-Projekte genutzt werden, wenn Parameter und Lieferbarkeit geprüft werden müssen.
Passend für Industrieanlagen, Motorsteuerung, Messgeräte, Automatisierungssysteme und elektronische Baugruppen.
Unterstützt Server, Datencenter, Stromversorgung, Steuerplatinen und andere zuverlässige Elektroniksysteme.
FudongIC unterstützt Kunden bei der Beschaffung von IRF5803D2, einschließlich Lagerprüfung, Preisbestätigung, BOM-Abgleich und technischer Auswahl.
RFQ und technische Unterstützung für IRF5803D2 anfragenIRF5803D2 ist ein Produkt von Infineon Technologies in der Kategorie Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren. Die Beschreibung lautet: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO. FudongIC unterstützt Kunden bei Datenblattprüfung, Lagerbestätigung, Preisangebot, BOM-Abgleich und technischer Auswahl.
IRF5803D2 kann in Kommunikationssystemen, Industrieautomation, Automobilelektronik, Rechenzentren, eingebetteten Systemen, Energie- und Steuerungstechnik sowie weiteren Elektronikprojekten eingesetzt werden.
Wenn Sie Lagerbestand, Staffelpreise, Lieferzeit, Alternativen oder technische Unterlagen für IRF5803D2 benötigen, senden Sie bitte eine Anfrage an FudongIC. Unser Team unterstützt Sie entsprechend Ihrer Anwendung, Parameteranforderungen, Gehäuseanforderungen und Einkaufsmenge.
IRF5803D2 wird auf FudongIC mit aktuellen Lagerinformationen angezeigt. Der angezeigte Bestand ist 3997. Da sich Bestände elektronischer Komponenten häufig ändern, senden Sie bitte eine RFQ zur Echtzeitbestätigung von Bestand, Preis und Lieferzeit.
Die Mindestbestellmenge für IRF5803D2 beträgt 1 Stück. FudongIC unterstützt Muster, Kleinmengen und größere Beschaffungsprojekte.
FudongIC konzentriert sich auf originale und echte elektronische Komponenten. IRF5803D2 von Infineon Technologies wird über zuverlässige Lieferkanäle beschafft. Qualitätsprüfung, Verpackungsbestätigung und Versandkontrolle können nach Bedarf unterstützt werden.
Die Lieferzeit hängt von Lagerstandort, Bestellmenge und Zieladresse ab. Für verfügbare Ware kann der Versand per DHL, FedEx, UPS oder anderen Expressdiensten arrangiert werden.
Je nach Anwendung kann FudongIC alternative oder gleichwertige Teile für IRF5803D2 prüfen. Bitte senden Sie Spezifikationen, Zielmenge und Anwendungsdetails.
| Bild | ![]() |
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| Teilenummer | IRF7322D1 | IRF7322D1TR | IRF7324D1TR | IRF7353D2 | IRF7421D1TR |
| Hersteller | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | FETKY™ | FETKY™ | FETKY™ | FETKY™ | FETKY™ |
| ProductStatus | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| FETType | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 3.4A (Ta) | 3.4A (Ta) | 3.4A (Ta) | 3.4A (Ta) | 3.4A (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 112mOhm @ 3.4A, 10V | 112mOhm @ 3.4A, 10V | 112mOhm @ 3.4A, 10V | 112mOhm @ 3.4A, 10V | 112mOhm @ 3.4A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 37 nC @ 10 V | 37 nC @ 10 V | 37 nC @ 10 V | 37 nC @ 10 V | 37 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1110 pF @ 25 V | 1110 pF @ 25 V | 1110 pF @ 25 V | 1110 pF @ 25 V | 1110 pF @ 25 V |
| FETFeature | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) |
| PowerDissipation(Max) | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
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