FEP30DP-E3/45.pdf
Die Produktinformationen für FEP30DP-E3/45 wurden anhand von Teilenummer, Hersteller, Gehäuse, Lagerstatus, Beschaffungsanforderungen und Versandverfügbarkeit geprüft.
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FEP30DP-E3/45 ist ein Produkt von Vishay General Semiconductor - Diodes Division in der Kategorie Dioden – Gleichrichter – Arrays. Es eignet sich für Elektronikprojekte mit Anforderungen an stabile Versorgung, technische Parameterprüfung, zuverlässige Beschaffung und BOM-Abgleich.
Geeignet für Kommunikationsmodule, Basisstationen, Netzwerkausrüstung und industrielle Datenübertragung, bei denen stabile Bauteilversorgung wichtig ist.
Kann für Automobil-Elektronik, Steuergeräte, Sensorsysteme und Embedded-Projekte genutzt werden, wenn Parameter und Lieferbarkeit geprüft werden müssen.
Passend für Industrieanlagen, Motorsteuerung, Messgeräte, Automatisierungssysteme und elektronische Baugruppen.
Unterstützt Server, Datencenter, Stromversorgung, Steuerplatinen und andere zuverlässige Elektroniksysteme.
FudongIC unterstützt Kunden bei der Beschaffung von FEP30DP-E3/45, einschließlich Lagerprüfung, Preisbestätigung, BOM-Abgleich und technischer Auswahl.
RFQ und technische Unterstützung für FEP30DP-E3/45 anfragenFEP30DP-E3/45 ist ein Produkt von Vishay General Semiconductor - Diodes Division in der Kategorie Dioden – Gleichrichter – Arrays. Die Beschreibung lautet: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO3P. FudongIC unterstützt Kunden bei Datenblattprüfung, Lagerbestätigung, Preisangebot, BOM-Abgleich und technischer Auswahl.
FEP30DP-E3/45 kann in Kommunikationssystemen, Industrieautomation, Automobilelektronik, Rechenzentren, eingebetteten Systemen, Energie- und Steuerungstechnik sowie weiteren Elektronikprojekten eingesetzt werden.
Wenn Sie Lagerbestand, Staffelpreise, Lieferzeit, Alternativen oder technische Unterlagen für FEP30DP-E3/45 benötigen, senden Sie bitte eine Anfrage an FudongIC. Unser Team unterstützt Sie entsprechend Ihrer Anwendung, Parameteranforderungen, Gehäuseanforderungen und Einkaufsmenge.
FEP30DP-E3/45 wird auf FudongIC mit aktuellen Lagerinformationen angezeigt. Der angezeigte Bestand ist 3161. Da sich Bestände elektronischer Komponenten häufig ändern, senden Sie bitte eine RFQ zur Echtzeitbestätigung von Bestand, Preis und Lieferzeit.
Die Mindestbestellmenge für FEP30DP-E3/45 beträgt 1 Stück. FudongIC unterstützt Muster, Kleinmengen und größere Beschaffungsprojekte.
FudongIC konzentriert sich auf originale und echte elektronische Komponenten. FEP30DP-E3/45 von Vishay General Semiconductor - Diodes Division wird über zuverlässige Lieferkanäle beschafft. Qualitätsprüfung, Verpackungsbestätigung und Versandkontrolle können nach Bedarf unterstützt werden.
Die Lieferzeit hängt von Lagerstandort, Bestellmenge und Zieladresse ab. Für verfügbare Ware kann der Versand per DHL, FedEx, UPS oder anderen Expressdiensten arrangiert werden.
Je nach Anwendung kann FudongIC alternative oder gleichwertige Teile für FEP30DP-E3/45 prüfen. Bitte senden Sie Spezifikationen, Zielmenge und Anwendungsdetails.
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| Teilenummer | MBRD650CTTRL | MBRD650CTTRR | MBRD660CTTR | MBRD660CTTRL | MBRD660CTTRR |
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| DiodeConfiguration | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| DiodeType | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| Current-AverageRectified(Io)(perDiode) | 15A | 15A | 15A | 15A | 15A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 950 mV @ 15 A | 950 mV @ 15 A | 950 mV @ 15 A | 950 mV @ 15 A | 950 mV @ 15 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 35 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V |
| OperatingTemperature-Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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