FDU8586.pdf
Die Produktinformationen für FDU8586 wurden anhand von Teilenummer, Hersteller, Gehäuse, Lagerstatus, Beschaffungsanforderungen und Versandverfügbarkeit geprüft.
Stückpreis$0
Gesamtpreis$0


FDU8586 ist ein Produkt von Fairchild Semiconductor in der Kategorie Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren. Es eignet sich für Elektronikprojekte mit Anforderungen an stabile Versorgung, technische Parameterprüfung, zuverlässige Beschaffung und BOM-Abgleich.
Geeignet für Kommunikationsmodule, Basisstationen, Netzwerkausrüstung und industrielle Datenübertragung, bei denen stabile Bauteilversorgung wichtig ist.
Kann für Automobil-Elektronik, Steuergeräte, Sensorsysteme und Embedded-Projekte genutzt werden, wenn Parameter und Lieferbarkeit geprüft werden müssen.
Passend für Industrieanlagen, Motorsteuerung, Messgeräte, Automatisierungssysteme und elektronische Baugruppen.
Unterstützt Server, Datencenter, Stromversorgung, Steuerplatinen und andere zuverlässige Elektroniksysteme.
FudongIC unterstützt Kunden bei der Beschaffung von FDU8586, einschließlich Lagerprüfung, Preisbestätigung, BOM-Abgleich und technischer Auswahl.
RFQ und technische Unterstützung für FDU8586 anfragenFDU8586 ist ein Produkt von Fairchild Semiconductor in der Kategorie Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren. Die Beschreibung lautet: MOSFET N-CH 20V 35A IPAK. FudongIC unterstützt Kunden bei Datenblattprüfung, Lagerbestätigung, Preisangebot, BOM-Abgleich und technischer Auswahl.
FDU8586 kann in Kommunikationssystemen, Industrieautomation, Automobilelektronik, Rechenzentren, eingebetteten Systemen, Energie- und Steuerungstechnik sowie weiteren Elektronikprojekten eingesetzt werden.
Wenn Sie Lagerbestand, Staffelpreise, Lieferzeit, Alternativen oder technische Unterlagen für FDU8586 benötigen, senden Sie bitte eine Anfrage an FudongIC. Unser Team unterstützt Sie entsprechend Ihrer Anwendung, Parameteranforderungen, Gehäuseanforderungen und Einkaufsmenge.
FDU8586 wird auf FudongIC mit aktuellen Lagerinformationen angezeigt. Der angezeigte Bestand ist 6297. Da sich Bestände elektronischer Komponenten häufig ändern, senden Sie bitte eine RFQ zur Echtzeitbestätigung von Bestand, Preis und Lieferzeit.
Die Mindestbestellmenge für FDU8586 beträgt 1 Stück. FudongIC unterstützt Muster, Kleinmengen und größere Beschaffungsprojekte.
FudongIC konzentriert sich auf originale und echte elektronische Komponenten. FDU8586 von Fairchild Semiconductor wird über zuverlässige Lieferkanäle beschafft. Qualitätsprüfung, Verpackungsbestätigung und Versandkontrolle können nach Bedarf unterstützt werden.
Die Lieferzeit hängt von Lagerstandort, Bestellmenge und Zieladresse ab. Für verfügbare Ware kann der Versand per DHL, FedEx, UPS oder anderen Expressdiensten arrangiert werden.
Je nach Anwendung kann FudongIC alternative oder gleichwertige Teile für FDU8586 prüfen. Bitte senden Sie Spezifikationen, Zielmenge und Anwendungsdetails.
| Bild | ![]() |
![]() |
![]() |
||
| Teilenummer | SI3447DV | SI6466DQ | SI6467DQ | FDU6676AS | FDD1600N10ALZD |
| Hersteller | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| ProductStatus | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 35A (Tc) | 35A (Tc) | 35A (Tc) | 35A (Tc) | 35A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 5.5mOhm @ 35A, 10V | 5.5mOhm @ 35A, 10V | 5.5mOhm @ 35A, 10V | 5.5mOhm @ 35A, 10V | 5.5mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 48 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 2480 pF @ 10 V | 2480 pF @ 10 V | 2480 pF @ 10 V | 2480 pF @ 10 V | 2480 pF @ 10 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 77W (Tc) | 77W (Tc) | 77W (Tc) | 77W (Tc) | 77W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Bitte senden Sie eine RFQ. Wir antworten umgehend.

STMicroelectronics

Toshiba Semiconductor and Storage

Vishay Siliconix

onsemi
Vishay Siliconix
STMicroelectronics